¨ Mos
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Layout |
Instituto politécnico de tomar |
Escola Superior de Tecnologia de Tomar |
A criação dos transístores PMOS e NMOS estão representados na figura seguinte. Como a figura indica, o NMOS possui uma região de difusão do tipo N+ e o PMOS possui uma região de difusão do tipo P+, construindo-se assim os terminais N e P respectivamente. A construção da gate do transístor é feita sobrepondo sobre estas regiões uma camada de polisilicio nas dimensões desejadas. A intersecção criada entre a difusão e polisilicio originam os transístores N e PMOS. |
Figura 3.1.1 – Criação dos transístores N e PMOS. |
O PMOS necessita da adição de um poço “n-well” de forma a assegurar a implantação do canal pnp e assim garantir o seu funcionamento correcto. Contudo este poço não deve ficar flutuante, sendo colocado um contacto para polarizar essa mesma região. De outra forma o poço ficará flutuante, o que originará um decréscimo do seu potencial, fazendo com que o transístor funcione como diodo, o que corresponde a um canal pnp com elementos parasitas. |
¨ Resistência
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Uma resistência com uma área eficiente no processo CMOS consiste numa linha de polisílicio. A resistência entre S1 e S2 é usualmente contabilizada em, ohm/quadrado. O valor por defeito duma resistência de polisilicio por quadrado é de 10Ω, que é bastante pequena, mas aumenta para 200Ω se o material salicide for removido. O salicide é parte do processo por defeito, e está presente sempre na superfície de todas as áreas de polisilicio. |
Figura 1 – Resistências com salicide e sem salicide. |
¨ Condensador
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Condensadores são usados em desenhos análogos para a construção de filtros, compensação, desacoplamento, etc.… Idealmente, o valor do condensador não deveria depender das condições de polarização, assim o efeito de filtragem poderia estar a frequência constante. Descrevemos de seguida alguns tipos de condensadores. Na figura 2 está representado um condensador inter-metal. |
Figura 2 – Condensador de inter-metal. |